| 氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能 |
| Low-Temperature Growth and Field Emission Property of AlN Nanocones |
| 作者 | 单位 | E-mail | | 裴笑竹 | 介观化学教育部重点实验室, 南京大学化学化工学院, 南京 210093 | | | 赖宏伟 | 介观化学教育部重点实验室, 南京大学化学化工学院, 南京 210093 | | | 张永亮 | 介观化学教育部重点实验室, 南京大学化学化工学院, 南京 210093 | | | 蔡婧 | 介观化学教育部重点实验室, 南京大学化学化工学院, 南京 210093 | | | 吴强 | 介观化学教育部重点实验室, 南京大学化学化工学院, 南京 210093 | wqchem@nju.edu.cn | | 王喜章 | 介观化学教育部重点实验室, 南京大学化学化工学院, 南京 210093 | |
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| 摘要: 考察了在600 ℃以下通过反应AlCl3+NH3→AlN+3HCl制备AlN纳米锥的规律，结果表明在500 ℃时仍可获得AlN纳米锥，当温度为480 ℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500~600 ℃温区内制得的AlN纳米锥的开启电场处于14.2~20 V·μm-1范围，且随制备温度升高而减小。结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得，且具有较好的场发射性能。 |
| 关键词: 氮化铝 低温生长 化学气相沉积 场发射 纳米锥 |
| 基金项目: 国家自然科学基金（No.21173115），“973”（No.2007CB935503）资助项目。 |
| Abstract: The preparation of AlN nanostructures via the chemical reaction between AlCl3 and NH3 at temperature below 600 ℃ was examined, and AlN nanocones have been obtained at 500 ℃ while no nitride product could be formed at 480 ℃. Field emission measurements show that the AlN nanocones prepared in the temperature range of 500~600 ℃ exhibit turn-on fields of 14.2~20 V·μm-1 which decreases with the elevation of growth temperature. This implies that the AlN nanocones can be gown at lower temperature for field emitters. |
| Keywords: AlN low temperature growth chemical vapor deposition field emission nanocones |
| 投稿时间：2013-12-05 修订日期：2014-02-11 |
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| 裴笑竹,赖宏伟,张永亮,蔡婧,吴强,王喜章.氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能[J].无机化学学报,2014,30(7):1719-1724. |
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