二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能
Preparation and Properties of Resistive Random Access Memory Based on Tin Disulfide Nanosheets
作者单位E-mail
赵婷 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 
 
坚佳莹 西安工业大学电子信息工程学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 
jianjiaying@xatu.edu.cn 
董芃凡 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 
 
冯浩 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 
 
南亚新 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021
陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021 
 
常芳娥 西安工业大学材料与化工学院, 西安 710021  
摘要: 采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器(Cu/PMMA/SnS2/Ag,PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯),对其阻变性能进行了研究。结果表明: Cu/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器的开关比约105,耐受性2.7×103。在上述2项性能指标达到较优水平的同时,开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。
关键词: 阻变存储器  二硫化锡  低操作电压
基金项目: 国家自然科学基金(No.51971166)资助。
Abstract: Here, SnS2 nanosheets with the size of 50-100 nm were synthesized by hydrothermal method, and was used as the resistive layer material (Cu/PMMA/SnS2/Ag, PMMA=polymethyl methacrylate) for the first time. The results showed that the ON/OFF ratio of Cu/PMMA/SnS2/Ag resistive random access memory was about 105, and the endurance was 2.7×103. The on-state voltage and off-state voltage were only about 0.28 and -0.19 V, respectively.
Keywords: resistive random access memory  tin disulfide  low operating voltage
投稿时间:2021-05-17 修订日期:2021-09-07
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赵婷,坚佳莹,董芃凡,冯浩,南亚新,常芳娥.二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能[J].无机化学学报,2021,37(11):2020-2028.
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